高端存儲器研發(fā)再獲突破 集成電路國產(chǎn)化進程加快

　　近日，長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展，32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預(yù)期要求，成功實現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計的整套技術(shù)驗證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標志性意義的關(guān)鍵一步。

　　存儲器作為我國集成電路支柱產(chǎn)業(yè)，目前主要依賴進口，我國對DRAM和NAND Flash產(chǎn)品需求占全球消費量的比例超過20%。同時，存儲器也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出最高的領(lǐng)域，占整個行業(yè)的38%。

　　3D NAND作為一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體存儲技術(shù)，通過增加存儲疊層實現(xiàn)存儲密度增長，拓寬了存儲技術(shù)的發(fā)展空間，但其結(jié)構(gòu)的高度復(fù)雜性給工藝制造帶來全新的挑戰(zhàn)。目前在3D NAND領(lǐng)域，三星量產(chǎn)了48層產(chǎn)品，64層和90層產(chǎn)品正在研發(fā)中。在大數(shù)據(jù)需求快速增長的驅(qū)動下，存儲器芯片已成為電子信息領(lǐng)域市場份額最大的集成電路產(chǎn)品，潛在市場空間巨大。

　　為加快存儲器國產(chǎn)化進程，國家半導(dǎo)體基金對該領(lǐng)域的投資力度加大。去年12月由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目，在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設(shè)，該項目總投資240億美元，主要生產(chǎn)存儲器芯片。據(jù)了解，該項目將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash Fab廠房，一期項目計劃2018年建成投產(chǎn)，到2020年完成整個項目，該項目總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　存儲芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、消費電子、智能終端和固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域，其銷售額占整個芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%。賽迪顧問數(shù)據(jù)顯示，2014 年我國存儲芯片市場規(guī)模達到2465.5億元，占國內(nèi)集成電路市場份額的23.7%，國內(nèi)存儲芯片基本依靠進口，每年進口存儲芯片的金額高達600億美元。從市場份額占比來看，截至去年第三季度，三星電子在全球DRAM存儲器領(lǐng)域的份額達到50.2%，SK海力士占24.8%的份額。在NAND Flash領(lǐng)域，三星電子的全球市場份額為36.6%，SK海力士占10.4%的份額。

　　在政策大力扶持和國家科技重大專項的引領(lǐng)下，我國存儲器產(chǎn)業(yè)將步入快速擴容期，并帶動半導(dǎo)體設(shè)備及材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展。國際半導(dǎo)體協(xié)會SEMI公布的2016年和2017年全球新建晶圓廠超過19座，其中有10座建于我國。按照政策目標，我國集成電路市場規(guī)模占全球60%，但自給率僅為27%，到2020年芯片自給率要達到40%。隨著存儲器技術(shù)的不斷突破將帶動材料設(shè)備和封測產(chǎn)業(yè)快速增長，國產(chǎn)化進程有望加快。

來源：上海證券報

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