“超級光盤”誕生 我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破

　　存儲容量是普通光盤上萬倍、普通硬盤上百倍的“超級光盤”，在中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所誕生。這對于我國在信息存儲領(lǐng)域突破關(guān)鍵核心技術(shù)、實現(xiàn)數(shù)字經(jīng)濟的可持續(xù)發(fā)展具有重大意義。

　　“超級光盤”是上海光機所與上海理工大學(xué)等科研單位緊密合作、在超大容量超分辨三維光存儲研究中取得的突破性進展。22日，國際學(xué)術(shù)期刊《自然》（Nature）雜志發(fā)表了相關(guān)研究成果。

　　據(jù)論文通訊作者之一、上海光機所阮昊研究員介紹，存儲是數(shù)字經(jīng)濟的基石之一，光存儲技術(shù)具有綠色節(jié)能、安全可靠、壽命長的獨特優(yōu)勢，非常適合長期低成本存儲海量數(shù)據(jù)。然而受到光學(xué)衍射極限的限制，傳統(tǒng)商用光盤的最大容量僅在百GB量級。

　　發(fā)展可同步實現(xiàn)超分辨寫、超分辨讀、三維存儲及長壽命介質(zhì)，是近10多年來光存儲研究領(lǐng)域亟待解決的世界難題。2012年，本論文另一位通訊作者、上海理工大學(xué)顧敏院士提出了雙光束超分辨光存儲原理的設(shè)想。

　　經(jīng)過長達7年堅持不懈的攻堅克難，“超級光盤”研究團隊利用國際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導(dǎo)發(fā)光超分辨光存儲技術(shù)，實驗上首次在信息寫入和讀出均突破光學(xué)衍射極限的限制，實現(xiàn)了點尺寸為54nm、道間距為70nm的超分辨數(shù)據(jù)存儲，并完成了100層的多層記錄，單盤等效容量達Pb量級。經(jīng)老化加速測試，光盤介質(zhì)壽命大于40年。

　　上海光機所是我國重要的存儲材料與技術(shù)研究基地。上海光機所相關(guān)負責人表示，“超級光盤”的誕生，完成了雙光束超分辨三維光存儲的原理和實驗驗證，未來實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，還有很長的路要走。研究團隊將加快原始創(chuàng)新和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，推動超大容量光存儲的集成化和產(chǎn)業(yè)化進程，并拓展其在光顯微成像、光顯示、光信息處理等領(lǐng)域的交叉應(yīng)用。(記者 張建松 孫青)

　　轉(zhuǎn)自：新華社

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