我國攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

　　近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN（氮化鎵）電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。

　　西安電子科技大學(xué)廣州研究院李祥東團(tuán)隊(duì)與廣東致能科技公司聯(lián)合攻克了≥1200V超薄GaN緩沖層外延、p-GaN柵HEMTs設(shè)計(jì)與制造、可靠性加固、高硬度材料封測(cè)等整套量產(chǎn)技術(shù)，成功開發(fā)出閾值電壓超過2V、耐壓達(dá)3000V的6英寸藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaNHEMTs晶圓，展示了替代中高壓硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潛力。相關(guān)研究內(nèi)容刊發(fā)于新出版的由IEEE Electron Device Letters（國際電子技術(shù)與信息科學(xué)工程師協(xié)會(huì)）主辦的《電子器件通信》上，并入選封面highlight論文。

　　在該項(xiàng)目的研究中，西安電子科技大學(xué)廣州研究院還研發(fā)成功了8英寸GaN（氮化鎵）電力電子芯片。其相關(guān)內(nèi)容發(fā)表在由IEEE Transactions on Electron Devices主辦的《電子器件學(xué)報(bào)》上，并被國際著名半導(dǎo)體行業(yè)雜志Semiconductor Today（《今日半導(dǎo)體》）專題報(bào)道。該研究結(jié)果在國際上首次證明了8英寸藍(lán)寶石基GaNHEMTs晶圓量產(chǎn)的可行性，并打破了傳統(tǒng)GaN技術(shù)難以同時(shí)兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國際難題，將有望推動(dòng)≥1200V中高壓氮化鎵電力電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)變革。（文編）

　　轉(zhuǎn)自：中國電子報(bào)

　　【版權(quán)及免責(zé)聲明】凡本網(wǎng)所屬版權(quán)作品，轉(zhuǎn)載時(shí)須獲得授權(quán)并注明來源“中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)信息網(wǎng)”，違者本網(wǎng)將保留追究其相關(guān)法律責(zé)任的權(quán)力。凡轉(zhuǎn)載文章及企業(yè)宣傳資訊，僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，不代表本網(wǎng)觀點(diǎn)和立場。版權(quán)事宜請(qǐng)聯(lián)系：010-65363056。

延伸閱讀