中芯國(guó)際推出自主研發(fā)38納米NAND閃存工藝

本報(bào)訊 （記者徐建華）日前，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱中芯國(guó)際）宣布38納米NAND閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可生產(chǎn)NAND產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲(chǔ)器無(wú)晶圓廠對(duì)高質(zhì)量、低密度NAND閃存持續(xù)增長(zhǎng)的需求，使中芯國(guó)際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

據(jù)悉，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)（NVM）產(chǎn)品。38納米NAND閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域。也可利用此技術(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接口（SPI）NAND市場(chǎng)的發(fā)展以及不斷增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用。此次中芯國(guó)際成功推出38納米NAND閃存技術(shù)，能夠幫助客戶滿足中國(guó)及全球市場(chǎng)對(duì)此技術(shù)的需求。

來源：中國(guó)質(zhì)量報(bào)

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