中國南車突破高端芯片技術

本報訊 我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）專業(yè)芯片線6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。

與微電子技術中芯片技術一樣，IGBT芯片技術是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平。主要應用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅動設備中。

IGBT芯片技術含量極高，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標志。過去，全球IGBT技術主要掌握在歐洲和日本等少數(shù)幾個國家手中。我國的IGBT芯片及其相關產(chǎn)品99％以上依賴進口，國內在芯片、封裝、裝置、系統(tǒng)還沒有形成獨立、完整的技術體系和產(chǎn)業(yè)體系。

經(jīng)過20多年的研發(fā)，中國南車上百位專家攻克了30多項重大難題，終于掌握了該器件的成套技術，建立了完整的IGBT規(guī)模化、專業(yè)化生產(chǎn)工業(yè)體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。這條投資近15億元的8英寸IGBT生產(chǎn)線首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。

中國工程院院士、中國南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍說，據(jù)初步估算，如果將IGBT等電力電子技術應用到全國20％的電機中，每年可節(jié)約用電2000億千瓦時，相當于兩個三峽電站的年發(fā)電量。同時，我國自主研發(fā)的高功率等級的IGBT對涉及國家經(jīng)濟安全、國防安全等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)至關重要。（謝立言陽建）

來源：國際商報

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