我國集成電路制造業(yè)產(chǎn)能及投資熱點分析


中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟信息網(wǎng)   時間:2017-11-15





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(圖片來源:互聯(lián)網(wǎng))
  我國集成電路制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展總體向好
 
 ?。ㄒ唬┲圃鞓I(yè)發(fā)展進入快車道,產(chǎn)業(yè)營收高速增長。
 
  我國集成電路產(chǎn)業(yè)實力快速提升,制造業(yè)保持高速增長態(tài)勢。在市場和政策的雙輪驅(qū)動下,根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2016年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到4335.5億元,同比增長20.1%。產(chǎn)業(yè)結構趨于平衡,設計、制造、封測的銷售額分別為1644.3億元、1126.9億元及1564.3億元。制造業(yè)銷售額持續(xù)提升,增速達到25.1%,在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中最高。
 
  龍頭企業(yè)銷售額不斷增加,部分企業(yè)實現(xiàn)持續(xù)盈利。中芯國際先進制程出貨量穩(wěn)步提升,華虹宏力、華潤微電子等8英寸生產(chǎn)線滿負荷運行。中芯國際2016年在全球純晶圓代工企業(yè)營收排名中位列第四,銷售額達29.2億美元,同比增長30.3%。華虹宏力保持了連續(xù)24個季度盈利,銷售收入創(chuàng)歷史新高(7.12億美元),凈利潤達到1.29億美元,增長14.5%,在全球位列第八。
 
 ?。ǘ┲圃旃に嚥粩嗵嵘a(chǎn)能持續(xù)擴張。
 
  晶圓制造企業(yè)技術工藝不斷提高。中芯國際推出的28nm工藝已經(jīng)為國內(nèi)外多家企業(yè)進行穩(wěn)定代工。16nm工藝研發(fā)穩(wěn)步推進,65nm及以下工藝的銷售額占總銷售額的44.6%。華力微電子開發(fā)的55nm圖像傳感器工藝,是目前國內(nèi)最先進的圖像傳感器工藝平臺。受惠于智能手機攝像頭市場需求提升,華力微電子的圖像處理器芯片出貨持續(xù)穩(wěn)定增長。華虹宏力擁有全面的嵌入式非易失存儲器工藝平臺組合,涵蓋Flash、EEPROM、MTP、OTP等技術,在CMOS-MEMS傳感器制造方面,成功實現(xiàn)了MEMS器件與標準CMOS工藝及生產(chǎn)線的全兼容。
 
 ?。ㄈ┲圃飚a(chǎn)能逐年增加,產(chǎn)能占比日趨合理。
 
  我國制造業(yè)產(chǎn)能逐年增加,成為全球增長的新動力。根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)顯示,2016年國內(nèi)晶圓月產(chǎn)能為184.9萬片(折算8英寸),占全球總產(chǎn)能的10.8%。從產(chǎn)能變化情況來看,2000年后,我國制造業(yè)產(chǎn)能提升經(jīng)歷了兩次浪潮,每次浪潮持續(xù)5~7年。第一次為2002年~2007年,第二次從2014年開始,預計將持續(xù)到2021年。2014年以后,我國新增產(chǎn)能占全球新增產(chǎn)能的30%以上,成為全球晶圓產(chǎn)能增長的新動力。
 
  制造業(yè)加快轉型升級,產(chǎn)能分布日趨合理。從我國晶圓產(chǎn)能分布來看,12英寸晶圓產(chǎn)能近年來加速攀升,2016年達到101.7萬片/月(折算8英寸值,下同),產(chǎn)能占比達到55%,已超過200mm和150mm及以下。8英寸晶圓產(chǎn)能穩(wěn)步增長(10年CAGR為6.2%),達到62.5萬片/月。6英寸及以下晶圓產(chǎn)能達到10.7萬片/月,且增長相對緩慢(10年CAGR為2.7%)(數(shù)據(jù)來源于ICinsight)。
 
  全國多地形成建廠熱潮,新建廠房數(shù)量不斷增加。國家和各地方均高度重視集成電路的發(fā)展,在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》等相關政策的帶動下,以及各類基金的推動下,多地形成晶圓廠建設熱潮。根據(jù)國際半導體設備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)統(tǒng)計,全球在2017年~2020年間將投產(chǎn)的半導體晶圓廠為62個,其中26個位于中國大陸境內(nèi),占比高達42%,其中多數(shù)為晶圓代工廠。
 
  晶圓廠投資不斷增加,產(chǎn)能供給持續(xù)擴大。據(jù)Gartner統(tǒng)計,2021年我國將有19個12英寸晶圓廠,總產(chǎn)能將達到207萬片/月(未折算8英寸,下同),內(nèi)資晶圓廠產(chǎn)能將達到119.5萬片/月,占比達到57.7%。其中,存儲器月產(chǎn)能達到129.5萬片,邏輯代工達到77.5萬片。如果所有項目按期達產(chǎn),《中國制造2025》中設定的2020年制造產(chǎn)能達70萬片,2025年達100萬片12英寸晶圓產(chǎn)能的目標可以完成。
 
  供需問題是產(chǎn)業(yè)目前面臨的核心問題
 
  我國集成電路制造業(yè)仍面臨著諸多問題,制約著集成電路產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展。產(chǎn)業(yè)鏈、資金和人才等供需矛盾是最主要的矛盾。
 
  設計制造“兩頭在外”問題仍在持續(xù)。我國制造業(yè)飛速發(fā)展,但主要為海外客戶代工;芯片設計業(yè)高速增長,但主要依賴海外制造資源。中芯國際2016年來自中國客戶的銷售額不足營收的一半。在此背景下,國內(nèi)代工廠擴大產(chǎn)能未必能直接提高國產(chǎn)芯片自給率,部分項目反而會面臨巨大風險。
 
  全球硅晶圓缺貨嚴重,已成為制造業(yè)產(chǎn)能瓶頸。目前我國半導體設備和材料占全球市場不足1%,嚴重制約著國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的自給自足和健康發(fā)展。據(jù)WSTS估計,未來幾年內(nèi)半導體市場將呈現(xiàn)回暖趨勢,對主流的300mm硅片需求大增,將導致全球6大300mm硅片制造商的產(chǎn)能面臨滿載,全球硅晶圓片出現(xiàn)供不應求,部分小型的晶圓制造廠恐因無法獲得足夠硅片被迫減產(chǎn)。
 
  制造工藝相對落后,技術差距依然存在。晶圓代工方面,我國最先進的工藝與國際主流工藝相差近三代。中芯國際目前仍然停留在28納米PoliSiON工藝。存儲器制造方面,武漢新芯僅實現(xiàn)32層3DNAND閃存芯片試產(chǎn),但今年三星第四代64層3DNAND芯片量產(chǎn)后,將對美光、東芝及武漢新芯等同業(yè)競爭者帶來巨大壓力。
 
  產(chǎn)業(yè)資本支出總體偏少,技術研發(fā)仍需大量資金。一是我國集成電路整體資本支出偏低。我國2016年集成電路全產(chǎn)業(yè)資本支出為636.2億美元,僅占全球的9%,未達到英特爾、臺積電、三星等芯片巨頭的企業(yè)投資。二是資金偏向基礎設施建設,技術研發(fā)仍需持續(xù)投入。雖然各地基金投資積極性高漲,但是部分基金和資本更關注土地、廠房、設備等固定資產(chǎn)投資,新技術研發(fā)仍有大量資金缺口。
 
  制造業(yè)快速發(fā)展,人才匱乏短板依然凸顯。根據(jù)工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進中心數(shù)據(jù)顯示,我國集成電路產(chǎn)業(yè)需要的人員規(guī)模為70萬,而目前從業(yè)人員不足30萬人,面臨大量人才缺口。人才匱乏主要體現(xiàn)在兩方面:一方面是帶領技術研發(fā)的“將軍人才”稀缺,技術瓶頸短期難以迅速突破;另一方面,具備經(jīng)驗的操作人員和設備維護人員數(shù)量存在更大缺口,直接影響生產(chǎn)線正常運行或產(chǎn)品的良率。
 
  升級發(fā)展刻不容緩
 
  加強技術自主研發(fā),實現(xiàn)核心技術突破。一是加強邏輯代工工藝研發(fā),盡早突破1X納米工藝節(jié)點。二是盡快突破多層3D存儲芯片制造工藝,向64層主流工藝靠攏。三是發(fā)展MEMS制造工藝,圍繞超越摩爾定律加大技術布局力度。
 
  構建面向生態(tài)建設的產(chǎn)業(yè)投資發(fā)展思路。一是順應人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用領域需求,從國家戰(zhàn)略層面整體推進,面向重點應用領域投資,布局含芯片、軟件、整機、信息服務等在內(nèi)的整體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。二是在“中國制造2025”、人工智能、智能硬件等重大工作的推進落實過程中,同步考慮對重點芯片產(chǎn)品及整機系統(tǒng)的支持。
 
  推動產(chǎn)業(yè)上下游間深化協(xié)作。一是推動芯片設計企業(yè)面向系統(tǒng)級解決方案需求,以自研、并購、合作等多種方式彌補技術短板,構建整體技術能力。二是推動設計企業(yè)、制造企業(yè)、封測企業(yè)間的合作,加快先進制造工藝和先進封裝工藝的研發(fā)突破和規(guī)模商用,擺脫“兩頭在外”的困擾。(中國信息通信研究院信息化與工業(yè)化融合研究所 李策)
 
  轉自:人民郵電報
 

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