中國自主建成首條高端IGBT芯片生產(chǎn)線破國外壟斷

　　中國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線近日在中國南車株洲電力機(jī)車研究所有限公司建成。

　　業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，這標(biāo)志著中國在被認(rèn)為是電力電子行業(yè)“皇冠上的明珠”的關(guān)鍵技術(shù)上實現(xiàn)重大突破，打破了國外在高端IGBT芯片技術(shù)上的長期壟斷，對推動節(jié)能減排、培育戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)、保障經(jīng)濟(jì)安全具有重大戰(zhàn)略意義。

　　“為了實現(xiàn)‘IGBT’國產(chǎn)化之夢，中國南車集合了上百位專家，經(jīng)過20年的艱苦研發(fā)，累計投入超過30億元，在IGBT芯片設(shè)計、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應(yīng)用上攻克了30多項重大難題，終于掌握了該器件的成套技術(shù)?！敝袊こ淘涸菏?、中國南車株洲電力機(jī)車研究所總經(jīng)理丁榮軍說。

　　IGBT技術(shù)的研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志，包括芯片、模塊、封裝、檢測和應(yīng)用等多項技術(shù)。其中，芯片技術(shù)含量最高，以8英寸IGBT芯片為例，其上面布滿128塊小芯片，每塊小芯片只有指甲蓋大小，厚度僅為人體兩根頭發(fā)絲，但其內(nèi)部包含了逾6萬個稱之為“元胞”的基本單元。

　　作為世界功率半導(dǎo)體器件最先進(jìn)的技術(shù)，全球第一只IGBT于1982年出現(xiàn)在美國GE公司。上世紀(jì)90年代，受到軌道交通交流傳動應(yīng)用需求的強(qiáng)力牽引，IGBT技術(shù)與產(chǎn)品迅速發(fā)展，逐步成為交流傳動的主流器件。

　　盡管早在1996年，中國就把發(fā)展IGBT芯片及模塊產(chǎn)業(yè)化作為重點項目，但是一直未能取得實質(zhì)性進(jìn)展，造成全球IGBT技術(shù)一直被歐洲、日本等少數(shù)幾個國家所壟斷。

　　中國的IGBT芯片及其相關(guān)產(chǎn)品99%以上依賴進(jìn)口，國內(nèi)在芯片、封裝、裝置、系統(tǒng)還沒有形成獨立、完整的技術(shù)體系和產(chǎn)業(yè)體系。特別是在1200伏以上中高壓IGBT技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化能力上，與國外仍有較大差距。

　　據(jù)了解，中國南車這條自主研發(fā)的8英寸IGBT生產(chǎn)線，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。這也是全球第二條8英寸IGBT芯片線，將真正改變中國在電力電子器件領(lǐng)域受制于人的局面，同時也會大大降低該產(chǎn)品在國際市場的價格。

　　南車時代電氣IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國友告訴記者，早在2008年中國南車并購英國丹尼克斯半導(dǎo)體公司，準(zhǔn)備進(jìn)軍IGBT市場時，國外廠商就把IGBT產(chǎn)品價格下降了20%左右。

　　業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，中國掌握被稱為“大國重器”的高端IGBT技術(shù)并取得產(chǎn)業(yè)化突破，不僅是對我國高端制造技術(shù)和自主創(chuàng)新的認(rèn)可，更具有多重戰(zhàn)略意義。

　　丁榮軍表示，為進(jìn)一步整合國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)從材料到應(yīng)用的上、下游優(yōu)勢資源，中國南車正在牽頭策劃成立中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。同時，按照全球IGBT技術(shù)發(fā)展趨勢，正在研發(fā)第五代、預(yù)研第六代IGBT技術(shù)，以持續(xù)確保我國在IGBT產(chǎn)業(yè)上的技術(shù)支撐與核心競爭力。

來源：新華網(wǎng)

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