中國研發(fā)首個半浮柵晶體管 芯片器件核心技術獲突破

　　中新社上海8月12日電最新一期《科學》Science雜志刊登了由復旦大學微電子學院教授張衛(wèi)領銜團隊研發(fā)的世界第一個半浮柵晶體管SFGT研究論文，這是中國科學家首次在該權(quán)威雜志發(fā)表微電子器件領域的研究成果。

　　相關專家認為，該成果的研制將有助于中國掌握集成電路的核心技術，從而在國際芯片設計與制造領域內(nèi)逐漸獲得更多的話語權(quán)。

　　MOSFET金屬—氧化物—半導體場效應晶體管是現(xiàn)在集成電路的核心器件。在過去的幾十年里，各國科學家努力將更多的MOSFET集成到一塊芯片上來提高運算能力，鉆研如何實現(xiàn)更小尺寸的元器件。張衛(wèi)表示，隨著器件尺寸越來越接近其物理極限，基于新結(jié)構(gòu)和新原理的晶體管成為當前業(yè)界急需。

　　半浮柵晶體管是一種新型基礎器件，它是將隧穿場效應晶體管TEET和MOSFET相結(jié)合構(gòu)建而成。論文第一作者王鵬飛解釋說，“隧穿”是量子世界的常見現(xiàn)象，可以“魔術般”地通過固體，好像擁有了穿墻術?！八泶眲輭驹降停喈斢凇皦Α本驮奖?，器件隧穿所需電壓也就越低。把TFET和浮柵晶體管相結(jié)合，半浮柵晶體管SFGT的“數(shù)據(jù)”擦寫更加容易、迅速。

　　據(jù)了解，這種新結(jié)構(gòu)晶體管的應用領域非常廣泛，包括計算機存儲，圖像傳感器等。它可使計算機存儲器成本大幅降低，集成度更高，讀寫速度更快；使圖像傳感器感光單元密度更高，分辨率和靈敏度得到提升。

　　張衛(wèi)表示，半浮柵晶體管SFGT并不需要對現(xiàn)有集成電路制造工藝進行很大的改動，為盡快實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，目前針對這個器件的優(yōu)化和電路設計工作已經(jīng)開始。（鄒瑞玥）

來源：中國新聞網(wǎng)

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