價格需求雙漲 全球存儲芯片市場大熱

　　近日，全球三大領軍存儲廠商相繼發(fā)布的財報顯示，營收均大幅增長，這預示著全球存儲芯片產能產值正逐漸恢復增長。

　　三大領軍企業(yè)財報飄紅存儲貢獻突出

　　近日，三星電子公布了今年第二季度財報。根據財報，三星電子第二季度營收63.67萬億韓元（約合3572.5億元），創(chuàng)有史以來第二季度收入最高紀錄；凈利潤達9.45萬億韓元（約合530.2億元）。三星表示，本次收入的大幅提升，主要是因為內存芯片（DRAM和NAND）的出貨量和價格增幅均超出預期。

　　此前，SK海力士發(fā)布第二季度財報稱，其第二季度收入為10.322萬億韓元（約合579.2億元），凈利潤為1.988萬億韓元（約合111.5億元），凈利潤率為19%。SK海力士表示，從今年年初開始，PC、圖像處理、消費級存儲器需求大幅增加，服務器用存儲器需求也得到恢復，從而帶動了業(yè)績的改善。這是繼2018年第三季度之后，時隔3年再次出現的佳績。SK海力士預計，今年下半年的需求也將持續(xù)增加，并隨著旺季的到來，存儲器市場的良好趨勢將持續(xù)下去。

　　7月1日，美光科技發(fā)布截至6月3日的第三財季報告，營收74.22億美元（約合479.5億元），毛利潤為31.26億美元（約合202億元），毛利率為42.1%。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，DRAM和NAND的價格上漲和客戶的需求推動了收入增長。DRAM第三財季收入為54億美元，占總收入的73%；NAND第三財季收入為18億美元，占總收入的24%，創(chuàng)下公司歷史新高。美光科技預計，隨著全球經濟復蘇，DRAM和NAND的供應將在2022年繼續(xù)緊張。雖然新冠肺炎疫情仍然是一個風險因素，但受宏觀經濟復蘇以及AI和5G等長期驅動因素的推動，2021年正成為半導體企業(yè)強勁增長的一年。由此看出，存儲芯片市場在經歷上一年的價格波動之后，正在逐漸回暖，重回發(fā)展快車道。

　　壟斷是存儲芯片價格波動大的原因之一

　　2019年，受全球缺芯潮、新冠肺炎疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲芯片價格出現持續(xù)波動，給各大存儲芯片廠商帶來了沖擊。據世界半導體貿易統(tǒng)計組織（WSTS）統(tǒng)計，2019年全球存儲芯片的市場規(guī)模為1064億美元，相比2018年減少了516億美元，而2020年回升到1175億美元，增長了111億美元，出現穩(wěn)定上升勢頭。同時，WSTS預計，2021年全球半導體產值將達5272億美元，同比增長19.7%；其中，存儲器產值同比增長31.7%，增幅將居首位。2022年全球半導體產值可望進一步達5734億美元，同比增長8.8%；其中，存儲器產值將成長17.4%，增幅仍將高居第一。這說明，存儲芯片成為全球半導體產業(yè)持續(xù)發(fā)展的主要推動力，并始終保持超高成長性。

　　對于存儲芯片的價格波動問題，賽迪顧問集成電路產業(yè)研究中心研究員楊俊剛表示，存儲芯片產品價格具有周期性，存儲芯片的產品價格主要和市場需求、產品存量、產品更新迭代有一定的關系。近期，全球芯片整體處于缺貨狀態(tài)，雖然存儲芯片屬于通用型產品，但是也受到了全球芯片缺貨的影響，導致存儲芯片價格有一定的波動。

　　創(chuàng)道投資咨詢總經理步日欣向《中國電子報》記者指出，存儲芯片價格向來是半導體領域價格波動較為明顯的品類，主要原因就是整個市場格局處在壟斷狀態(tài)，幾大巨頭很容易就價格上漲達成默契。

　　中國存儲芯片企業(yè)參與全球競爭還需時日

　　我國是存儲芯片需求量最高的國家，根據賽迪顧問的數據，2020年中國存儲器市場規(guī)模約為4266億元，按WSTS預計的2020年全球存儲器市場規(guī)?；鶖担s合7593.9億元）估算，中國市場約占全球整體規(guī)模的56%。預計未來中國存儲芯片市場需求還將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的態(tài)勢。

　　楊俊剛指出，我國在存儲芯片領域已取得了不俗的成績，合肥長鑫量產了國內首款19nm DDR4內存芯片；長江存儲完成了64層3D NAND Flash的量產，并且完成了128層3D NAND Flash產品的研發(fā)，已經通過客戶驗證階段；兆易創(chuàng)新Nor Flash的市場份額已經進入全球前三；聚辰半導體的EEPROM的市場份額也已經進入全球前三。

　　聯(lián)蕓科技執(zhí)行副總裁李國陽向《中國電子報》記者表示：“目前在存儲芯片領域，我國實現了DDR3/4 DRAM及64/128層3D NAND閃存顆粒技術突破，并初步實現規(guī)模量產和產能釋放，這是我國在存儲芯片領域實現的零的突破和標志性成就。基于當前的技術突破和產能持續(xù)釋放，以及良品率和可靠性的不斷提升，未來，我國將有可能真正成為全球存儲芯片制造重要的參與者和貢獻者。”

　　不過，目前我國存儲產業(yè)與國外相比仍存在較大差距。楊俊剛解釋道，我國屬于剛入局者，在技術水平、研發(fā)能力、產品種類、產品迭代速度、資金實力、知識產權、市場份額等方面和全球先進廠商有一定的差距。目前我國中低端存儲芯片的技術水平已經慢慢趕上，并后來居上。

　　而步日欣向《中國電子報》記者指出，對于存儲芯片，我們的挑戰(zhàn)不僅存在于資本投入、技術攻關方面，還存在于市場生態(tài)的建立上，下一步要打通整個產業(yè)鏈條的環(huán)節(jié)，讓國產存儲芯片找到用武之地，逐步利用本土優(yōu)勢，循序漸進地搶占市場。“存儲芯片行業(yè)知識產權壁壘較高，具有高技術門檻的特性，而且一般采用IDM模式，需要大額的資本投入，才有可能實現突破?；谶@一行業(yè)特性，要有效推動存儲芯片發(fā)展，在依靠市場化手段的同時，更需要政策引導，統(tǒng)籌推動國產芯片的應用場景落地、技術更新和迭代。”步日欣表示。（記者 許子皓）

　　轉自：中國電子報

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