2019年中國功率半導體市場規(guī)模將逾2900億元

　　近日，全球市場研究機構集邦咨詢在最新的《中國半導體產業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%，至2591億元。其中功率分立器件市場規(guī)模為1874億元，電源管理IC市場規(guī)模為717億元。

　　集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業(yè)，2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球貿易不穩(wěn)定等因素影響，但在需求驅動下，受影響程度要小于其他IC產品。集邦咨詢預估，2019年中國功率半導體市場規(guī)模將達到2907億元，較2018年成長12.17%，維持雙位數的成長表現。

　　受益于政策推動和缺貨漲價的狀況，2018年多家中國大陸功率半導體廠商取得亮眼的成績，并擴大布局。其中，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢，在車用IGBT市場快速崛起，取得中國大陸車用IGBT市場超過兩成的市占率，一躍成為中國大陸銷售額前三的IGBT供應商；MOSFET廠商華微電子和揚杰科技營收大增，并且逐漸導入IGBT市場。

　　新建與規(guī)劃中的IGBT產線有士蘭微廈門12英寸特色工藝產線、華潤微電子在重慶建設的12英寸特色工藝產線，以及積塔半導體專業(yè)汽車級IGBT產線等。同時，多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術領域，基本半導體的SiC MOSFET已進入量產上市，而定位為代工的三安光電SiC產線已開始接單，比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET，其目標是到2023年實現SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代。

　　轉自：中國電子報

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