國產(chǎn)化5G芯片用氮化鎵材料在蕪湖試制成功

　　近日，筆者從西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院獲悉，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目，國產(chǎn)化5G通信芯片用氮化鎵材料在西電蕪湖研究院試制成功，這標(biāo)志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。

　　據(jù)介紹，氮化鎵半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高電子飽和漂移速度、強(qiáng)抗輻射能力和良好化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越物理化學(xué)性質(zhì)。成為繼第一代半導(dǎo)體硅、第二代半導(dǎo)體砷化鎵之后制備新一代微電子器件和電路的關(guān)鍵材料，特別適合于高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研制。

　　西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院依托于西電寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室，研發(fā)出全國產(chǎn)的基于碳化硅襯底的氮化鎵材料，目前在國際第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先水平，將助力5G通信制造領(lǐng)域的國產(chǎn)化進(jìn)程。西電蕪湖研究院技術(shù)總監(jiān)陳興表示，研究院目前已經(jīng)掌握了氮化鎵材料的生產(chǎn)和5G通信芯片的核心設(shè)計(jì)與制造能力。下一步他們將盡快將這項(xiàng)技術(shù)商用，力爭早日推向市場。（文言）

　　轉(zhuǎn)自：中國有色金屬報(bào)

 

　　版權(quán)及免責(zé)聲明：凡本網(wǎng)所屬版權(quán)作品，轉(zhuǎn)載時(shí)須獲得授權(quán)并注明來源“中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)信息網(wǎng)”，違者本網(wǎng)將保留追究其相關(guān)法律責(zé)任的權(quán)力。凡轉(zhuǎn)載文章，不代表本網(wǎng)觀點(diǎn)和立場。版權(quán)事宜請聯(lián)系：010-65363056。

延伸閱讀