日本在尖端半導體領域動作頻頻


中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟信息網(wǎng)   時間:2022-11-20





  目前全球半導體產(chǎn)業(yè)局勢復雜,多重因素疊加,導致半導體供應鏈面臨很大不確定性。在此背景下,日本近兩年在半導體領域動作頻頻,一方面謀求擴大國內(nèi)芯片產(chǎn)能、確保供應鏈安全穩(wěn)定,另一方面試圖再次做大做強半導體產(chǎn)業(yè)。


  11月11日,豐田、索尼、日本電氣、鎧俠、三菱日聯(lián)銀行等8家企業(yè)共同出資73億日元成立了一家名為Rapidus的高端半導體公司。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔宣布公司成立消息,并表示政府將向該公司提供700億日元補貼,以資助其芯片開發(fā)及生產(chǎn)。


  未來Rapidus將與IBM等歐美公司展開合作,匯聚各方力量,從共同研發(fā)入手,重點開發(fā)未來經(jīng)濟社會不可或缺、能夠瞬間處理大量數(shù)據(jù)的高端半導體,目標是5年后即2027年量產(chǎn)2納米以下制程的半導體,將用于超級計算機、自動駕駛、人工智能、智慧城市等領域。


  據(jù)專家介紹,2納米以下尖端半導體目前在世界上尚未量產(chǎn)。臺積電與三星公司量產(chǎn)的最先進工藝半導體目前是5納米,2納米工藝半導體需要全新技術,制造難度更高,是業(yè)界爭搶的制高點之一。


  就在西村康稔宣布Rapidus成立的當天,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省還宣布,年內(nèi)將設立新的研究開發(fā)基地,名為技術研究組合最尖端半導體技術中心(LSTC),日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所、理化研究所、東京大學等機構都將共同參與,新成立的Rapidus也將參與其中。Rapidus董事長東哲郎兼任LSTC理事長。


  媒體稱,Rapidus和LSTC將是日本下一代半導體戰(zhàn)略的兩大支柱。實際上,日本政府去年6月在最新版半導體戰(zhàn)略中明確提出,將致力于推動高端半導體研發(fā)、吸引制造商在日本國內(nèi)建立生產(chǎn)基地。


  今年4月以來,為了擴大日本國內(nèi)的半導體產(chǎn)能,日本政府已投入6000多億日元用于各種補助,僅支援臺積電與索尼公司合資在熊本縣建設新廠的補貼就高達4760億日元。此外,鎧俠與美國西部數(shù)據(jù)公司在三重縣新建合資工廠獲得政府929億日元援助,美國美光科技在廣島縣新建生產(chǎn)設施也獲得465億日元補助。


  在研發(fā)方面,為吸引臺積電在日本筑波市建立研發(fā)中心,日本政府今年6月決定拿出190億日元補貼,支持臺積電與日本國內(nèi)約20家機構共同進行尖端半導體研發(fā)。


  日本政府11月初批準的本財年補充預算案將促進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展列為緊迫課題,為資助高端半導體研發(fā)及生產(chǎn)一共計劃投入1.3萬億日元。


  業(yè)內(nèi)人士指出,日本雖然在存儲器、圖像傳感器等半導體領域市場占有率較高,但高性能計算半導體發(fā)展相對滯后。臺積電與索尼建設的熊本新廠主要生產(chǎn)300毫米晶圓,將制造12納米至28納米級芯片。


  專家分析認為,由于日本在尖端半導體技術開發(fā)方面起步較晚,與世界先進水平差距較大。而半導體產(chǎn)業(yè)拼的就是投資,國家和企業(yè)能支撐到什么程度,取決于經(jīng)濟實力和經(jīng)濟形勢。尖端半導體最終實現(xiàn)批量生產(chǎn)需要上萬億日元的投資。東哲郎期待日本政府今后能在資金方面給予長期支援。


  西部數(shù)據(jù)負責人表示,在確保生產(chǎn)能力后,如何確保需求成為非常重要的課題。半導體產(chǎn)品升級與最終產(chǎn)品市場需求互為一體,共存共榮。日本即使在國內(nèi)建立起半導體生產(chǎn)基地,如果沒有足夠的最終產(chǎn)品需求,生產(chǎn)基地也很難維持下去。(劉春燕)


  轉(zhuǎn)自:經(jīng)濟參考報

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