四川“十四五”企業(yè)技術(shù)改造規(guī)劃：電子信息產(chǎn)業(yè)被列入重點(diǎn)投資領(lǐng)域

　　6月4日，四川省經(jīng)濟(jì)和信息化廳發(fā)布《四川省“十四五”企業(yè)技術(shù)改造規(guī)劃（征求意見稿）》（以下簡(jiǎn)稱《規(guī)劃》），規(guī)劃期為2021年——2025年。

　　其中，電子信息產(chǎn)業(yè)被列入重點(diǎn)投資領(lǐng)域。

　　一、重點(diǎn)培育發(fā)展的產(chǎn)品

　?。ㄒ唬┘呻娐放c新型顯示產(chǎn)品

　　重點(diǎn)培育發(fā)展：6英寸/8英寸/12英寸集成電路硅片、絕緣體上硅（SOI）、化合物半導(dǎo)體材料，光刻膠、靶材、拋光液、研磨液、封裝材料等集成電路材料?；衔锇雽?dǎo)體芯片，高集成度、高性能5G、超高清視頻、衛(wèi)星導(dǎo)航、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等集成電路芯片。高性能非晶硅（a-Si）/低溫多晶硅（LTPS）/氧化物（Oxide）液晶顯示器（TFT-LCD）面板產(chǎn)品；新型有源有機(jī)電致發(fā)光二極管（AMOLED）面板產(chǎn)品；4K、8K等超高清顯示器件；超高清視頻攝錄編設(shè)備、超高清視頻終端整機(jī)等。智能手機(jī)、智能可穿戴、智慧家庭、智能車載終端等產(chǎn)品。6代及以上玻璃基板、高性能混合液晶、驅(qū)動(dòng)IC、高純度靶材、高性能長(zhǎng)壽命有機(jī)發(fā)光材料、量子點(diǎn)材料、5.5代及以上精細(xì)金屬掩膜板、高純度化學(xué)品、柔性基板材料、高性能激光器等。重點(diǎn)發(fā)展玻璃基板、光掩膜版，偏光片、靶材、液晶材料、光刻膠等關(guān)鍵材料。微波通信、IP、CPU、功率半導(dǎo)體、汽車電子的開發(fā)設(shè)計(jì)。倒裝芯片、扇出型封裝、圓片級(jí)封裝、堆疊封裝等封裝技術(shù)、IGBT模塊等功率器件封裝技術(shù)。缺陷檢測(cè)設(shè)備、激光加工設(shè)備以及真空零部件、高精密陶瓷零部件、投影鏡頭等設(shè)備。Micro-LED（發(fā)光二極管微縮化和矩陣化技術(shù)）、激光顯示、高世代掩膜版、OLED（有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體）、電子材料、玻璃基板、偏光片、濕制程化學(xué)藥液等材料，激光切割機(jī)、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)儀器等設(shè)備。

　?。ǘ┬乱淮W(wǎng)絡(luò)技術(shù)產(chǎn)品

　　重點(diǎn)培育發(fā)展：NB-IoT專用芯片、模組、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、物聯(lián)應(yīng)用產(chǎn)品；5G基站的中高頻器件、波束賦型陣列天線、基帶處理算法等；6G使用的100GHz～10THz的太赫茲頻段，大功率GaN太赫茲二極管制備、大功率太赫茲固態(tài)電子放大器、高效率太赫茲倍頻器混頻器等。

　　（三）軟件與信息服務(wù)業(yè)產(chǎn)品

　　重點(diǎn)培育發(fā)展:工業(yè)設(shè)計(jì)工具軟件、產(chǎn)品設(shè)計(jì)工具軟件、工控軟件等；信息安全可靠芯片、物聯(lián)網(wǎng)安全芯片、通信網(wǎng)絡(luò)安全芯片等。

　　二、重點(diǎn)突破推廣的技術(shù)及裝備

　　發(fā)展MEMS企業(yè)及射頻/毫米波/太赫茲器件的特種封裝測(cè)試等集成電路封裝技術(shù)。加快人工智能領(lǐng)域智能算法、智能工具軟件、軟件開放平臺(tái)等關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。

　　突破高集成度、高性能5G、超高清視頻、衛(wèi)星導(dǎo)航、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等高可靠性、高精度的設(shè)備和材料等核心關(guān)鍵技術(shù)，加快開發(fā)和應(yīng)用高端芯片、傳感器、傳感網(wǎng)組網(wǎng)關(guān)鍵設(shè)備。

　　重點(diǎn)發(fā)展12英寸集成電路生產(chǎn)線設(shè)備，刻蝕機(jī)、光刻機(jī)、薄膜設(shè)備清洗設(shè)備、工藝檢測(cè)等設(shè)備；大尺寸硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備，截?cái)?、滾圓、研磨、倒角、拋光等晶圓材料加工設(shè)備；6-8 英寸碳化硅單晶爐設(shè)備；先進(jìn)封裝圓片減薄設(shè)備、三維系統(tǒng)封裝通孔設(shè)備、高密度倒裝鍵合設(shè)備、新型圓片級(jí)封裝用設(shè)備。硅片清洗、擴(kuò)散、離子注入、材料沉積設(shè)備、自動(dòng)封裝系統(tǒng)、高潔凈柔性搬送機(jī)器人、掃描電子顯微鏡、自動(dòng)探針測(cè)試臺(tái)等設(shè)備和儀器。發(fā)展5.5代及以上等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）、磁控濺射設(shè)備（Sputter）、曝光機(jī)、準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備、有機(jī)蒸鍍?cè)O(shè)備、噴墨打印設(shè)備等。

　　三、突出補(bǔ)短鍛長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈條

　　補(bǔ)短：加強(qiáng)5G射頻微波、通用CPU、北斗導(dǎo)航、人工智能、顯示驅(qū)動(dòng)、功率半導(dǎo)體、信息安全、IP核、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域高端芯片設(shè)計(jì)能力，優(yōu)化GaAs/GaN生產(chǎn)工藝制程。大力發(fā)展3D NAND等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片及先進(jìn)晶圓代工產(chǎn)線。開展WLP（晶圓級(jí)封裝）、MCP（多芯片封裝）、SIP（系統(tǒng)級(jí)封裝）等高附加值的先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，引入面向MEMS企業(yè)及射頻/毫米波/太赫茲器件的特種封裝測(cè)試技術(shù)，支持開展CSP、WLP、SIP、TSV、三維封裝等先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)的推廣應(yīng)用。實(shí)現(xiàn)5G中高頻芯片、器件的產(chǎn)業(yè)化；超前布局太赫茲芯片，加大研究6G使用的100GHz～10THz的太赫茲頻段，大功率GaN太赫茲二極管的制備等技術(shù)。

　　鍛長(zhǎng)：提高超高清視頻攝錄編設(shè)備、前端設(shè)備制造技術(shù)水平，持續(xù)優(yōu)化終端設(shè)備制造等技術(shù)，不斷突破超高清視頻核心芯片、關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)。結(jié)合軌道交通、航天外測(cè)、北斗授時(shí)、衛(wèi)星測(cè)運(yùn)控，衛(wèi)星載荷、星間鏈路，芯片設(shè)計(jì)、衛(wèi)星導(dǎo)航終端等領(lǐng)先技術(shù)，力爭(zhēng)在原有技術(shù)上不斷鞏固產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。

　　轉(zhuǎn)自：集微網(wǎng)

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