中科院攻克LED關(guān)鍵技術(shù)難關(guān)

　　本報(bào)訊 在“十一五”國家863計(jì)劃新材料領(lǐng)域項(xiàng)目的支持下，由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所承擔(dān)的高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目課題，通過技術(shù)輻射和轉(zhuǎn)移、人才培養(yǎng)以及國際交流合作等方式，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)技術(shù)的引進(jìn)、消化、吸收、再創(chuàng)新，提高了中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的國際競爭能力，推動了中國半導(dǎo)體照明工程的實(shí)施。該課題近日順利通過驗(yàn)收。

　　高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)，在人才培養(yǎng)和團(tuán)隊(duì)建設(shè)等方面做出了積極探索，通過加強(qiáng)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)管理，引進(jìn)了數(shù)名國家“千人計(jì)劃”、中國科學(xué)院“百人計(jì)劃”及“國家杰出青年”獲得者，培養(yǎng)了數(shù)十名年輕人才，組建了百余人的學(xué)科交叉、具有前沿探索能力和工程化、產(chǎn)業(yè)化背景的高水平半導(dǎo)體照明人才隊(duì)伍。

　　針對中國在節(jié)能領(lǐng)域的需求，高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)建成了從半導(dǎo)體照明重大裝備、材料外延、芯片開發(fā)到高效大功率封裝及測試分析的完整柔性半導(dǎo)體照明工藝平臺，具有靈活的研發(fā)能力與工程化示范能力。

　　該創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)還取得了一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的重要研究成果，并制訂了相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，在中國率先突破以氮化物為主的半導(dǎo)體外延材料生長及摻雜、芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及機(jī)理驗(yàn)證、測試及封裝等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了150lm/w以上的LED高效發(fā)光；成功制備了中國首個300nm以下室溫?zé)晒獍l(fā)光的深紫外UVLED器件，并實(shí)現(xiàn)了器件功率的毫瓦級輸出；研制開發(fā)了中國首臺48片MOCVD樣機(jī)，經(jīng)第三方檢測，設(shè)備外延的氮化鎵材料、各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到了同類國際MOCVD設(shè)備的水平。

來源：中國建設(shè)報(bào)

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