國內(nèi)首批碳化硅半導(dǎo)體外延晶片投產(chǎn)


時間:2012-05-23





日前,國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化3 英寸和4 英寸碳化硅半導(dǎo)體外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天泰成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn),并已接到第一筆商業(yè)訂單,填補了國內(nèi)該領(lǐng)域空白。

瀚天泰成負(fù)責(zé)人表示,將通過碳化硅產(chǎn)業(yè)化項目,確立廈門在國內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。他們計劃在廈門推動建設(shè)一個產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的中國碳化硅研究院,打造一個第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平臺,設(shè)立一只第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金,進一步吸引和發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)的上、下游企業(yè),將廈門建設(shè)成為第三代半導(dǎo)體碳化硅研發(fā)、生產(chǎn)和銷售基地,使之成為海西經(jīng)濟的科技高地和中國的“碳化硅谷”。據(jù)介紹,2013年瀚天泰成還計劃試生產(chǎn)6 英寸規(guī)格的碳化硅外延晶片;到2016 年,將實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅外延晶片2 萬片,產(chǎn)值有望達到4.2 億元。

碳化硅是當(dāng)前國際上最先進的第三代新型半導(dǎo)體材料,國內(nèi)目前主要處于研發(fā)階段。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅電力芯片減少能耗75%,大幅降低各項設(shè)備系統(tǒng)的整體成本并提高系統(tǒng)可靠性。碳化硅可廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域,如光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、高效電動機、混合和純電動汽車、高速列車、智能電網(wǎng)等。此外,美國在F22 戰(zhàn)斗機等多種先進武器中也廣泛使用碳化硅半導(dǎo)體。

來源:中國質(zhì)量報



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