浙大成功研制100毫米超厚碳化硅單晶

　　近日，在浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院與乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的共同努力下，研究人員在高溫實(shí)驗(yàn)室中取得了重大突破，成功生長出100毫米厚的碳化硅單晶，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)15~30毫米的厚度標(biāo)準(zhǔn)。

　　碳化硅（SiC）材料以其寬禁帶、高導(dǎo)熱率和電子飽和漂移速率等優(yōu)異特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。然而，高昂的襯底成本一直是限制其廣泛應(yīng)用的主要因素之一。通過生長更厚的碳化硅單晶，可以有效減少籽晶使用量、縮短生長時(shí)間，降低能耗及原材料成本，從而有望大幅度減低碳化硅襯底的整體成本。

　　為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室采用了創(chuàng)新的提拉式物理氣相傳輸（PPVT）方法。通過這一方法，研究團(tuán)隊(duì)控制晶體生長面在適宜的徑向溫度梯度下運(yùn)行，優(yōu)化了晶體的應(yīng)力和表面形態(tài)。這一技術(shù)不僅推動(dòng)了單晶厚度的飛躍，還確保了晶體生長速率的穩(wěn)定。目前，實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)成功生長出直徑達(dá)6英寸（150毫米）、厚度超過100毫米的高質(zhì)量碳化硅單晶，并已就此技術(shù)申請(qǐng)了兩項(xiàng)發(fā)明專利。

　　未來，浙大科創(chuàng)中心將進(jìn)一步研究和優(yōu)化碳化硅單晶的生長工藝，提高產(chǎn)品質(zhì)量，促進(jìn)半導(dǎo)體材料技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。此次科研成果不僅為半導(dǎo)體行業(yè)提供了新的成本優(yōu)化方向，也預(yù)示著碳化硅材料在未來更廣泛的領(lǐng)域應(yīng)用中發(fā)揮更大的潛力。（喆言）

　　轉(zhuǎn)自：中國電子報(bào)

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