中芯推28納米HKMG與聯(lián)芯打造SoC芯片


來(lái)源:中國(guó)電子報(bào)   作者:陳炳欣    時(shí)間:2016-02-29





  中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(簡(jiǎn)稱“中芯國(guó)際)與大唐電信科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)旗下聯(lián)芯科技有限公司(簡(jiǎn)稱“聯(lián)芯科技”)近日共同宣布,中芯國(guó)際28納米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程已成功流片,基于此平臺(tái),聯(lián)芯科技推出適用于智能手機(jī)等領(lǐng)域的28納米SoC芯片,包括高性能應(yīng)用處理器和移動(dòng)基帶功能,目前已通過(guò)驗(yàn)證,準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)階段。


  中芯國(guó)際是中國(guó)大陸首家能夠同時(shí)提供28納米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的晶圓代工企業(yè)。與傳統(tǒng)的PolySiON制程相比,中芯國(guó)際28納米HKMG技術(shù)將有效改善驅(qū)動(dòng)能力,進(jìn)而提升晶體管的性能,同時(shí)大幅降低柵極漏電量?;谥行緡?guó)際28納米HKMG制程平臺(tái),聯(lián)芯科技推出的智能手機(jī)SoC芯片擁有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗,CPU主頻達(dá)1.6GHz。延續(xù)聯(lián)芯科技在4G移動(dòng)通信市場(chǎng)的佳績(jī),該芯片的面世將推動(dòng)搭載“中國(guó)芯”的智能手機(jī)進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)份額。


  中芯國(guó)際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云表示:“我們還將持續(xù)進(jìn)行28納米技術(shù)平臺(tái)的開(kāi)發(fā)及改善,預(yù)計(jì)將在2016年底推出基于HKMG制程的緊湊加強(qiáng)型版本,為客戶提供更多優(yōu)化的制程選擇?!保惐溃?br/>



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