武漢新芯宣布取得三維數據型閃存技術重大突破

武漢新芯近日宣布，其正在進行的三維數據型閃存項目已在研發(fā)上取得重大突破。通過研發(fā)團隊半年時間的努力，第一個具有9層結構的三維存儲器芯片下線，并一次性通過了存儲器基本功能的電學驗證，標志著武漢新芯已成為世界少有擁有此項技術的公司之一，也表示我國集成電路制造業(yè)迎來了新發(fā)展。

三維數據型存儲技術是國際上各大存儲企業(yè)研發(fā)的核心方向。其技術難度高，目前全球僅有一家公司成功實現3D-NAND存儲器量產，其他存儲器企業(yè)仍處于研發(fā)階段。三維數據型閃存技術是通過在硅片表面垂直疊加幾十個或更多的電荷存儲層，來提高單顆芯片的存儲密度。現有芯片內布置存儲單元大都是平鋪，雖然面積越做越小，但總會遇到極限，而三維技術如同蓋高樓，同樣的面積下，可以提供更大的數據存儲空間。

據悉，三維數據型閃存芯片可廣泛應用于手機、電腦等電子產品，將是固態(tài)硬盤的主要元件。固態(tài)硬盤可用于各種便攜存儲設備，能隨時存儲任何格式的數據文件資料，被譽為個人的“數據移動中心”，具有廣闊的市場前景。

武漢新芯三維數據型閃存研發(fā)團隊組建于2014年8月，第一階段開發(fā)9層的三維NAND存儲器原型陣列，于2014年Q4完成了版圖設計和工藝流程搭建，于2015年5月完成工藝制程開發(fā)及測試驗證，首次流片即告成功，在預計時間節(jié)點完成所有研發(fā)過程。（陳炳欣）

來源：中國電子報

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