國產(chǎn)55納米相變存儲芯片發(fā)布

寧波時代全芯科技有限公司日前在寧波現(xiàn)場發(fā)布了自主研發(fā)的55 納米相變存儲芯片。這一成果的發(fā)布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術(shù)自主知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這將有利于打破存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國外公司壟斷的局面。

目前靜態(tài)隨機存儲技術(shù)、動態(tài)隨機存儲技術(shù)和快閃存儲技術(shù)應(yīng)用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲技術(shù)——相變存儲技術(shù)，由于是利用材料相變產(chǎn)生不同的特性作資料存儲，存儲容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于目前的高端硬盤。與現(xiàn)有傳統(tǒng)芯片相比，相變存儲器執(zhí)行速度快1000 倍，耐久性多1 萬倍。與快閃存儲一樣，相變存儲是非揮發(fā)性的，但比快閃存儲更耐用，通?？扉W存儲持續(xù)約為10 萬次讀/寫，而相變存儲的耐用性數(shù)千至百萬倍于閃存，其編程速度也比閃存具有數(shù)量級的優(yōu)勢，因此，這一新技術(shù)被認(rèn)為會帶來一個顛覆性的存儲新時代。

實際上，相變存儲技術(shù)的研發(fā)歷史已經(jīng)有30 多年，但是直到最近幾年，由于快速結(jié)晶材料的發(fā)現(xiàn)才開始邁入商業(yè)化階段。第一批商業(yè)化的相變存儲產(chǎn)品預(yù)計在今年內(nèi)推出，而其主流產(chǎn)品，如替代傳統(tǒng)硬盤的固態(tài)硬盤將于2014 年推出。（據(jù)科技日報報道）

來源：中國質(zhì)量報

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