我國研發(fā)出世界首個半浮柵晶體管

日前，由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授領(lǐng)銜團隊研發(fā)的世界第一個半浮柵晶體管（SFGT）研究論文刊登于《科學(xué)》雜志，這是我國科學(xué)家首次在該權(quán)威雜志發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的研究成果。該成果的研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在國際芯片設(shè)計與制造領(lǐng)域內(nèi)逐漸獲得更多的話語權(quán)。

MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)在集成電路的核心器件。在過去的幾十年里，各國科學(xué)家努力將更多的MOSFET 集成到一塊芯片上來提高運算能力，鉆研如何實現(xiàn)更小尺寸的元器件。張衛(wèi)表示，隨著器件尺寸越來越接近其物理極限，基于新結(jié)構(gòu)和新原理的晶體管成為當(dāng)前業(yè)界急需。

半浮柵晶體管的前瞻研發(fā)就是在這種情況下展開的。研究團隊將隧穿場效應(yīng)晶體管（TEET）和MOSFET 相結(jié)合，構(gòu)建成了一種名為“半浮柵”的新型基礎(chǔ)器件。論文第一作者王鵬飛教授解釋說，“ 隧穿”是量子世界的常見現(xiàn)象，可以“魔術(shù)般”地通過固體，好像擁有了穿墻術(shù)?！八泶眲輭驹降?，相當(dāng)于“墻”就越薄，器件隧穿所需電壓也就越低。把TFET 和浮柵晶體管相結(jié)合，半浮柵晶體管（SFGT）的“ 數(shù)據(jù)”擦寫更加容易、迅速。

來源：科技日報

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