存儲器芯片：專利數(shù)量懸殊，專利質(zhì)量突圍？

　　一個是與中國臺灣企業(yè)合作的大陸新晉企業(yè)，一個是全球三大存儲器巨頭之一， 福建省晉華集成電路有限公司（下稱福建晉華）與美國美光之間的專利較量，正是我國存儲器芯片廠商在勁敵環(huán)伺下發(fā)展的一個縮影。

　　目前，在福建晉華向美國美光中國子公司提起的專利侵權(quán)訴訟中，福建晉華向福州市中級人民法院提出訴中禁令，要求美光立即停止侵犯涉案專利權(quán)行為，得到法院支持。這一“臨時禁令”可視為我國存儲器企業(yè)反擊芯片巨頭的階段性勝利，但業(yè)內(nèi)人士認為，隨著傳統(tǒng)存儲器市場競爭進入訴訟多發(fā)期，我國企業(yè)要在有效防范風險的同時，贏得國際市場上的一席之地，還有很長的路。

　　日前，國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作湖北中心發(fā)布的《半導體存儲器產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)分析評議報告》（下稱報告）同樣印證了這一觀點。報告顯示，隨著傳統(tǒng)存儲器技術(shù)趨于成熟，但產(chǎn)業(yè)進入訴訟高發(fā)期，而我國既沒有巨頭企業(yè)的專利授權(quán)，專利儲備又較為薄弱，存在較高的專利風險。

　　專利數(shù)量懸殊警惕訴訟高發(fā)

　　存儲器又名內(nèi)存，是集成電路產(chǎn)業(yè)重要支柱之一。報告顯示，目前，半導體存儲器年產(chǎn)值超過1000億美元。易失性存儲器（即斷電后存儲信息消失）以DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）為代表，非易失性存儲器以NAND FLASH（閃存）為代表，兩者份額占存儲器產(chǎn)業(yè)90%以上，但長期以來，這一市場都被韓國三星、海力士和美國美光等國際巨頭所壟斷。

　　近年來，我國大力發(fā)展集成電產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)，在國家相關(guān)政策的引導推動下，武漢、合肥、晉江三地集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)重點發(fā)展存儲器，福建晉華正是代表企業(yè)之一。“大舉投資DRAM和NAND FLASH是我國存儲器廠商融入市場的必經(jīng)之路。”國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作湖北中心電學部元器件室主任王海濤發(fā)布報告時表示，同時他也指出，傳統(tǒng)存儲器領(lǐng)域的全球?qū)＠厔萦擅廊枕n主導，近年來全球?qū)＠暾埩砍掷m(xù)走低，技術(shù)步入成熟期，產(chǎn)業(yè)進入訴訟高發(fā)期。我國目前大力投資發(fā)展DRAM和NAND FLASH，將面臨較高的專利訴訟風險。

　　以此次福建晉華與美光引發(fā)糾紛的DRAM為例，中國集成電路知識產(chǎn)權(quán)聯(lián)盟此前發(fā)布的《集成電路專利態(tài)勢報告》顯示，在DRAM領(lǐng)域，全球公開的專利申請達14萬余件，日本、美國、韓國申請量位居全球前列，占比達76%，中國的DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，相關(guān)專利申請量很少，占比僅為4%。

　　合享匯智信息科技集團有限公司高級專利分析師饒小平經(jīng)檢索發(fā)現(xiàn)，美光在全球申請了近4萬件專利，而且在美國、日本、韓國、中國及歐洲等多個國家和地區(qū)都有相當數(shù)量的布局。相比之下，福建晉華作為大陸新晉廠商，在其擁有的60多件專利中，一部分是與中國臺灣企業(yè)聯(lián)華電子共同申請的專利，一部分是受讓于聯(lián)華電子的專利。“雖然專利侵權(quán)的可能性并不能簡單地從數(shù)量上去衡量，單獨一件高價值專利仍可能成為專利訴訟的有力武器，但專利戰(zhàn)一旦開打，雙方手中的專利儲備情況也會影響后續(xù)的談判走向，在這方面福建晉華并沒有優(yōu)勢。”集慧智佳知識產(chǎn)權(quán)咨詢公司咨詢師王希波在接受記者采訪時表示。

　　報告顯示，除了巨頭企業(yè)外，退市廠商也持有大量有效專利，我國企業(yè)應(yīng)注意防范來自國際巨頭企業(yè)、退市廠商以及NPE（非專利實施主體）三方的專利訴訟風險。所幸的是，隨著近年來國內(nèi)存儲器廠商的快速發(fā)展，研發(fā)投入逐步加大，部分企業(yè)的專利申請也實現(xiàn)快速增長。饒小平介紹，設(shè)計企業(yè)兆易創(chuàng)新截至目前提交了656件專利申請，制造企業(yè)長江存儲提交了1116件專利申請，尤其2017年呈爆發(fā)式增長。

　　專利質(zhì)量提升有待多措并舉

　　在國際巨頭的先發(fā)優(yōu)勢面前，我國存儲器企業(yè)專利儲備不足已是不爭的事實。對此，多位業(yè)內(nèi)人士認為，有針對性地制定專利策略，提升專利質(zhì)量，完善專利布局，或能為我國存儲器企業(yè)爭得一席之地。

　　報告顯示，隨著信息產(chǎn)業(yè)對存儲器提出新的需求，目前全球存儲巨頭都在加大對相變、磁阻、阻變等新型存儲器的研發(fā)投入，未來磁阻存儲器可能替代DRAM，阻變存儲器、相變存儲器可能替代NAND FLASH。對此，報告建議，我國企業(yè)對于傳統(tǒng)DRAM和NAND FLASH存儲器應(yīng)采取“防守進攻”的專利策略，對于新型存儲器采取“攻守兼?zhèn)?rdquo;的專利策略。在傳統(tǒng)存儲器領(lǐng)域，可以通過尋求專利許可、收購已退市廠商核心專利等方式加大專利儲備，并針對性地重點布局垂直晶體管、高K電容、蜂巢電容等40nm以下工藝中的核心專利，基于下一代DDR發(fā)展方向重點布局降低功耗技術(shù)，基于三維TSV架構(gòu)以及2.5D/3D架構(gòu)高帶寬的DRAM產(chǎn)品標準布局專利。在新型存儲器領(lǐng)域，國內(nèi)外差距相對較小，我國也已經(jīng)開始嘗試“存儲器制造廠+研發(fā)型科技機構(gòu)”模式，但還應(yīng)基于新型存儲器技術(shù)路線中的關(guān)鍵技術(shù)加大專利布局搶占核心節(jié)點，以增強產(chǎn)業(yè)控制力。

　　目前長江存儲研發(fā)制造了3D DRAM，處于國內(nèi)領(lǐng)先的位置，然而離大規(guī)模應(yīng)用還有一定距離。兆易創(chuàng)新則主要還是小市場容量的NOR FLASH存儲器。饒小平認為，國內(nèi)具備一定研發(fā)實力的企業(yè)應(yīng)著眼于大市場容量存儲器的研發(fā)。同時，設(shè)計、制造、封裝等產(chǎn)業(yè)鏈上各類企業(yè)應(yīng)聯(lián)合起來共同研發(fā)，共同推進國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此外，國內(nèi)企業(yè)要進一步提升知識產(chǎn)權(quán)意識，既要加大研發(fā)投入和專利布局，對于比較重要的技術(shù)，應(yīng)向國外申請專利，讓中國自主創(chuàng)新的技術(shù)同時在歐美日等消費市場大國進行專利保護，也要重視專利分析與預(yù)警，為企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展保駕護航。（記者 劉仁）

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