湖北武漢獲批建設國家信息光電子創(chuàng)新中心

　　近日，工信部正式批復同意武漢建設國家信息光電子創(chuàng)新中心。作為“中國制造2025”全國正式授牌的第二批創(chuàng)新中心，同時也是湖北省獲得的第一個國家制造業(yè)創(chuàng)新中心，國家信息光電子創(chuàng)新中心承載著解決我國信息光電子制造業(yè)關鍵和共性技術協同研發(fā)并實現首次商業(yè)化的戰(zhàn)略任務，將成為推進“中國制造2025”在信息技術產業(yè)領域實現落地、破解我國信息光電子“缺芯少魂”局面、保障國家安全的主體力量。

（圖片來源：互聯網）

　　據悉，信息光電子創(chuàng)新中心建立了現代化的企業(yè)法人制度，具備自我可持續(xù)發(fā)展的能力。牽頭單位武漢光迅科技股份公司作為武漢郵電科學研究院下屬子公司，先后承擔了863、973、科技支撐計劃等130余項國家級項目，制定了國家和行業(yè)標準100余項。股東單位均為國內行業(yè)前三的龍頭企業(yè)，2016年產值總額接近1000億元。參與共建的單位涵蓋了信息光電子領域的優(yōu)勢企業(yè)、研究院所和高校、重要應用領域典型用戶等。中心目前共有三個分布區(qū)域，分別為創(chuàng)新中心總部、芯片技術部、器件技術部和集成光電部區(qū)域。依托光迅芯片平臺、國重實驗室兩大技術平臺，創(chuàng)新中心創(chuàng)建了光電芯片工藝平臺和光電集成研發(fā)平臺（硅光平臺、高端器件驗證平臺），形成了從材料生長到芯片后工藝、光子集成、光電集成、高速系統硬件試驗測試的高端工藝和測試技術平臺。

 

　　此外，創(chuàng)新中心還組建了包括10名院士專家和17名行業(yè)專家的委員會，建立了市場化的項目運作和管理、知識產權歸屬與技術成果轉化機制，成立以來已經實施了硅光技術轉移擴散，在III-V族高端光電芯片技術和工藝以及硅光集成芯片設計與測試方面、高速光系統設計和驗證方面擁有強大的創(chuàng)新能力，對信息光電子領域產業(yè)技術創(chuàng)新形成了重大影響。

 

　　創(chuàng)新中心將面向新一代網絡、數據中心光互聯、5G及接入、光傳感、國防光電子等信息光電子應用領域，在高端材料生長、核心芯片工藝、先進封裝集成等方面突破關鍵技術和共性技術瓶頸。用35年建成國際一流的信息光電子制造業(yè)創(chuàng)新平臺，推動核心光電子芯片和器件行業(yè)供給率超過30%，到2025年，實現核心光電子芯片和器件自主可控。（李德浩）

 

　　轉自：人民郵電報